閃存是什么意思? 

閃存是一種非易失性存儲器芯片，用于存儲和在個人計算機(jī)（PC）和數(shù)字設(shè)備之間傳輸數(shù)據(jù)。它具有電子重編程和擦除的能力。它常見于 USB 閃存驅(qū)動器，MP3 播放器，數(shù)碼相機(jī)和固態(tài)驅(qū)動器。

閃存是一種電子可擦除可編程只讀存儲器（EEPROM），但也可以是獨立的存儲器存儲設(shè)備，例如 USB 驅(qū)動器。EEPROM 是一種使用電子設(shè)備擦除或?qū)懭霐?shù)字?jǐn)?shù)據(jù)的數(shù)據(jù)存儲設(shè)備。閃存是一種獨特類型的 EEPROM，可以用大塊編程和擦除。

閃存結(jié)合使用浮柵晶體管來存儲數(shù)據(jù)。浮柵晶體管或浮柵 MOSFET（FGMOS）類似于 MOSFET，MOSFET 是用于放大或切換電子信號的晶體管。浮柵晶體管是電隔離的并且在直流（DC）中使用浮動節(jié)點。閃存類似于標(biāo)準(zhǔn) MOFSET，除了晶體管有兩個門而不是一個。

閃存最早于 1980 年推出，由東芝公司（TOSBF）的發(fā)明人兼中級工廠經(jīng)理 Fujio Masuoka 博士開發(fā)。閃存是以能夠在閃存中擦除數(shù)據(jù)塊的能力命名的。“Masuoka 博士的目標(biāo)是在電源關(guān)閉時創(chuàng)建一個保存數(shù)據(jù)的存儲芯片.Masuoka 博士還發(fā)明了一種稱為內(nèi)存的存儲器。 SAMOS 開發(fā)了 1Mb 動態(tài)隨機(jī)存取存儲器（DRAM）。1988 年，英特爾公司生產(chǎn)出第一款商用 NOR 型閃存芯片，取代了包含基本輸入/輸出操作的 PC 主板上的永久只讀存儲器（ROM）芯片。系統(tǒng)（BIOS）。

閃存芯片由 NOR 或 NAND 門組成。NOR 是英特爾于 1988 年創(chuàng)建的一種存儲單元.NOR 門接口支持完整地址，數(shù)據(jù)總線和對任何存儲單元的隨機(jī)訪問。NOR 閃存的保存期限為 10,000 到 1,000,000 次寫入/擦除周期。

NAND 是由東芝在 NOR 生產(chǎn)一年后開發(fā)的。它更快，每比特成本更低，每個單元需要更少的芯片面積并且增加了彈性。NAND 門的保存期限約為 100,000 次寫入/擦除周期。在 NOR 門閃光中，每個單元的一端連接到位線，另一端連接到地。如果字線為“高”，則晶體管繼續(xù)降低輸出位線。

閃存有許多功能。它比 EEPROM 便宜得多，并且不需要用于固態(tài)存儲的電池，例如靜態(tài) RAM（SRAM）。它是非易失性的，具有非常快的訪問時間，并且與硬盤驅(qū)動器相比具有更高的動態(tài)沖擊阻力。閃存非常耐用，可承受強(qiáng)壓或極端溫度。它可用于各種應(yīng)用，如數(shù)碼相機(jī)，移動電話，筆記本電腦，PDA（個人數(shù)字助理），數(shù)字音頻播放器和固態(tài)硬盤（SSD）。

電腦閃存是什么意思

“非易失性存儲器”。電腦閃存是一種非易失性存儲器，即使在斷電的情況下也能保持所存儲的數(shù)據(jù)信息。123456

這種存儲器基于快閃記憶體技術(shù)，廣泛應(yīng)用于移動設(shè)備、相機(jī)、U盤等電子產(chǎn)品中。閃存與RAM（隨機(jī)存取存儲器）不同，因為RAM在斷電后會丟失數(shù)據(jù)，而閃存可以長期保存數(shù)據(jù)。閃存的特點包括長壽命、耐用、節(jié)能和低噪音，而且體積小巧，便于攜帶和使用。常見的閃存類型有NOR型和NAND型，NOR型主要用于存儲程序代碼并直接在閃存內(nèi)運(yùn)行，而NAND型則主要用于存儲數(shù)據(jù)，如在U盤和固態(tài)驅(qū)動器中。